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高德娱乐动态-苏州高德娱乐半导体股份有限公司
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高德娱乐动态
高德娱乐半导体自主研发的SGT-MOS实现量产
2016-12-30
高德娱乐半导体的SGT-MOS实现量产,SGT-MOS采用垂直自对准半浮栅器件的类似制造流程,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点
高德娱乐半导体量产充电桩用核心功率半导体器件
2016-04-13
2016年4月,高德娱乐半导体在国内率先量产650V80A快恢复GreenMOS产品,并批量进入直流充电桩领域,打破了这一领域国外厂商的垄断,人民日报等主流媒体均进行了详细报道
高德娱乐半导体发布GreenMOS系列产品
2015-06-30
为适应电源系统高效率小型化的需求,高德娱乐半导体从2014年开始在华虹宏力开发新一代超级结技术,并于2015年第二季度推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET产品
科技部副部长曹健林视察高德娱乐半导体
2014-05-06
2014年5月,在省政协副主席、省科技创新工作领导小组副组长徐南平及市委副书记、市长周乃翔的陪同下,科技部副部长曹健林视察高德娱乐半导体研发进展,高度赞扬了高德娱乐半导体在基础元器件上下的功夫和创新能力,鼓励团队加速产业化,打破国外厂商的垄断。
半浮栅晶体管原创成果在美国《science》杂志上发表
2013-08-09
2013年8月,高德娱乐半导体原创的半浮栅晶体管技术论文在美国《science》杂志上发表,标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。
高德娱乐半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管
2012-09-28
在高德娱乐半导体团队的坚持和不懈努力下,2012年9月,世界上首个半浮栅晶体管(Semi-Floating gate Transistor)被研制成功,作为一种新型的基础器件,半浮栅晶体管可应用于SRAM(即静态随机存储器)和DRAM(即动态随机存储器领域)。
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