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    第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。高德娱乐研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了SiC MOSFET。

    SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C，可以完美替代Si IGBT在高压大功率领域的应用。


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    Package   P/N   Cfg. VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (Ω)
    Tc=25℃ 18V
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